BFU590GX

Фото 1/4 BFU590GX
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
380 руб.
от 10 шт.320 руб.
от 25 шт.295 руб.
от 100 шт.227.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения1
Посмотреть аналоги1
Номенклатурный номер: 8006143665
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Описание Транзистор: NPN, биполярный, RF, 12В, 0,2А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand: NXP Semiconductors
Collector- Base Voltage VCBO: 24 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 16 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 80 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
DC Current Gain hFE Max: 130
Emitter- Base Voltage VEBO: 2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 8.5 GHz
Manufacturer: NXP
Maximum DC Collector Current: 300 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Operating Frequency: 900 MHz
Operating Temperature Range: -40 C to+150 C
Package / Case: SOT-223-4
Part # Aliases: 934067975115
Pd - Power Dissipation: 2000 mW
Product Category: RF Bipolar Transistors
Product Type: RF Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Transistor Type: Bipolar Wideband
Type: Wideband RF Transistor
AEC Qualified Number AEC-Q101
Automotive Yes
Maximum 3rd Order Intercept Point - (dBm) 32(Typ)
Maximum Collector Base Voltage - (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage - (V) 16
Maximum DC Collector Current - (A) 0.3
Maximum Emitter Base Voltage - (V) 3
Maximum Power 1dB Compression - (dBm) 22.5(Typ)
Maximum Power Dissipation - (mW) 2000
Maximum Transition Frequency - (MHz) 8500(Typ)
Military No
Minimum DC Current Gain 60@80mA@8V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -40~150
Operational Bias Conditions 8V/80mA
Packaging Tape and Reel
Pin Count 4
Standard Package Name SC
Supplier Package SC-73
Typical Input Capacitance - (pF) 3.9
Typical Output Capacitance - (pF) 1.9
Typical Power Gain - (dB) 19.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 288 КБ
Datasheet BFU590GX
pdf, 277 КБ
Datasheet BFU590G
pdf, 289 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов