BC847BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 45V

Фото 1/2 BC847BHZGT116, Bipolar Transistors - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 45V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
590 шт., срок 7-9 недель
57 руб.
от 10 шт.40 руб.
от 100 шт.18 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 57 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006207174
Артикул: BC847BHZGT116
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN SOT-23 0.1A 200 to 450hFE 45V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 350 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № BC847BHZG
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 450
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 600 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number BC847 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Minimum DC Current Gain 200
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Вес, г 0.029

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1362 КБ
Datasheet BC847BHZGT116
pdf, 1368 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.