2SCR586JFRGTLL, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5 А, 40 Вт, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
912 шт., срок 8-10 недель
500 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
430 руб.
от 100 шт. —
347 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 3 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
AEC-Q101 Qualified TransistorsROHM Semiconductor AEC-Q101 Qualified Transistors feature NPN, PNP, and dual transistors with or without built-in resistors. These transistors include middle power transistors, low-frequency amplifiers, general-purpose digital (bias resistor built-in) transistors, dual digital transistors, and medium power transistors. The AEC-Q101-qualified transistors offer variants with V CC, V CEO, and I C ratings. These transistors feature built-in bias resistors, enabling the desired configuration without connecting external input resistors.
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 80В |
Continuous Collector Current | 5А |
DC Current Gain hFE Min | 120hFE |
DC Усиление Тока hFE | 120hFE |
Power Dissipation | 40Вт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 200МГц |
Brand: | ROHM Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 100 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 5 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 120 |
DC Current Gain hFE Max: | 390 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 5 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | TO-263AB-3 |
Part # Aliases: | 2SCR586JFRG |
Pd - Power Dissipation: | 40 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet 2SCR586JFRGTLL
pdf, 1503 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.