2SCR586JFRGTLL, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5 А, 40 Вт, TO-263AB, Surface Mount

Фото 1/2 2SCR586JFRGTLL, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5 А, 40 Вт, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
912 шт., срок 8-10 недель
500 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.430 руб.
от 100 шт.347 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 3 000 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8001749531
Артикул: 2SCR586JFRGTLL
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
AEC-Q101 Qualified Transistors

ROHM Semiconductor AEC-Q101 Qualified Transistors feature NPN, PNP, and dual transistors with or without built-in resistors. These transistors include middle power transistors, low-frequency amplifiers, general-purpose digital (bias resistor built-in) transistors, dual digital transistors, and medium power transistors. The AEC-Q101-qualified transistors offer variants with V CC, V CEO, and I C ratings. These transistors feature built-in bias resistors, enabling the desired configuration without connecting external input resistors.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max 80В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 120hFE
DC Усиление Тока hFE 120hFE
Power Dissipation 40Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-263AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 200МГц
Brand: ROHM Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 100 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
DC Current Gain hFE Max: 390
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: TO-263AB-3
Part # Aliases: 2SCR586JFRG
Pd - Power Dissipation: 40 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Qualification: AEC-Q101
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet 2SCR586JFRGTLL
pdf, 1503 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.