TIP32G, Bipolar Transistors - BJT 3A 40V 40W PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
от 10 шт. —
200 руб.
от 100 шт. —
142 руб.
от 500 шт. —
111.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 3А, 40Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.2 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 3 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 25 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | TIP32A |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Width | 4.83 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Частота Перехода ft | 3МГц |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
