PSMN1R7-30YL,115, MOSFET PSMN1R7-30YL/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1791 шт., срок 7-9 недель
460 руб.
от 10 шт. —
340 руб.
от 100 шт. —
263 руб.
от 500 шт. —
207.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзисторы PSMN в корпусе LFPAK Nexperia МОП-транзисторы PSMN в корпусе LFPAK - это N-канальные устройства логического уровня в корпусе LFPAK, работающие до 150 ° C. Эти полевые МОП-транзисторы предназначены для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. Полевые МОП-транзисторы PSMN в LFPAK имеют усовершенствованную архитектуру TrenchMOS для низкого R DSon и низкого заряда затвора. Эти полевые МОП-транзисторы PSMN в LFPAK также обеспечивают высокий КПД в импульсных преобразователях мощности.
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки: | 100 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 109 W |
| Qg - заряд затвора: | 77.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 1.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1.3 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 72 ns |
| Время спада: | 34 ns |
| Другие названия товара №: | 934063068115 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | +150 C |
| Минимальная рабочая температура: | -55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Nexperia |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1500 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 76 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 46 ns |
| Торговая марка: | Nexperia |
| Упаковка / блок: | LFPAK-56-5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.4 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.15V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 109 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 77.9 nC @ 10 V |
| Width | 4.1mm |
| Вес, г | 0.09 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PSMN1R7-30YL,115
pdf, 894 КБ
Datasheet PSMN1R7-30YL,115
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
