2N7002KW-TP, MOSFET N-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs 340mA 200mW

2N7002KW-TP, MOSFET N-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs 340mA 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
82 руб.
от 10 шт.55 руб.
от 100 шт.22 руб.
от 1000 шт.14.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 82 руб.
Номенклатурный номер: 8006214636
Артикул: 2N7002KW-TP

Технические параметры

Case SOT323
Drain current 0.34A
Drain-source voltage 60V
Features of semiconductor devices ESD protected gate
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting SMD
On-state resistance 5.3Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 0.2W
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 2

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов