PBSS4140DPN,115, Bipolar Transistors - BJT PBSS4140DPN/SOT457/SC-74

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

48051 шт., срок 7-9 недель

130 руб.

от 10 шт. — 92 руб.

от 100 шт. — 53 руб.

от 1000 шт. — 35.54 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006215338

Артикул: PBSS4140DPN,115

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors.

Maximum Collector Base Voltage	40 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	370 mW
Minimum DC Current Gain	300
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	TSOP
Pin Count	6
Transistor Configuration	Isolated
Transistor Type	NPN/PNP
Вес, г	0.02