Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › RCX330N25, MOSFET Nch 250V 33A MOSFET

RCX330N25, MOSFET Nch 250V 33A MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

610 шт., срок 6-8 недель

1 000 руб.

от 10 шт. — 790 руб.

от 25 шт. — 703 руб.

от 100 шт. — 564.64 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 000 руб.

Номенклатурный номер: 8006217743

Артикул: RCX330N25

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор Nch 250V 33A МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	33 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	80 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	105 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	250 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	500
Серия	RCX330N25
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-220-3
Base Product Number	RCX330 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	33A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
HTSUS	8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Bulk
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	2.23W (Ta), 40W (Tc)
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	TO-220FM
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Вес, г	1