2SK3074TE12LF, RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7976 шт., срок 7-9 недель
850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\РЧ транзисторы\РЧ МОП-транзисторы
РЧ МОП-транзисторы N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.9 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходная мощность | 630 mW |
Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Рабочая частота | 530 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | 2SK3074 |
Технология | Si |
Тип | RF Power MOSFET |
Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | PW-Mini-3 |
Усиление | 14.9 dB |
Вес, г | 0.05 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.