2SD1223(TE16L1,NQ), Bipolar Transistors - BJT NPN VCEO 80V VCE 1.5 Ic 4A hFE 2000 min
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 шт., срок 7-9 недель
270 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 270 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Automotive SolutionsToshiba Automotive Solutions offers various automotive semiconductor devices designed to improve driving safety. This includes advanced driver assistance systems (ADAS) using an image recognition processor. Toshiba provides leading-edge semiconductor technologies from a future perspective to deliver comprehensive driver assistance solutions. These solutions include self-driving that emulate human eyes and other intricate human senses.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 2000 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | 2SD1223 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 154 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
