SSM6J214FE(TE85L,F, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-3.6A VDSS=-30V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11335 шт., срок 6-8 недель
120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-3.6A VDSS=-30V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
Qg - заряд затвора | 7.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.55 mm |
Длина | 1.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.7 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | SSM6J214FE |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 75 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-563-6 |
Ширина | 1.2 mm |
Base Product Number | 2SK208 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.6A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | U-MOSVI -> |
Supplier Device Package | ES6 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM6J214FE(TE85L,F
pdf, 208 КБ
Datasheet SSM6J214FE(TE85L.F
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.