MMBFJ175LT1G, JFET 25V 10mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
73 руб.
от 100 шт. —
45 руб.
от 1000 шт. —
28.90 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: P-JFET, полевой, 0,225Вт, SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | JFET |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage (V) | -25 |
Maximum Drain Gate Voltage (V) | 25 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 225 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | SOT-23 |
Standard Package Name | SOT |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.94 |
Package Length | 2.9 |
Package Width | 1.3 |
PCB changed | 3 |
Lead Shape | Gull-wing |
Drain Gate On-Capacitance | 11pF |
Idss Drain-Source Cut-off Current | -7 to-60mA |
Maximum Drain Gate Voltage | -25V |
Maximum Drain Source Resistance | 125 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 15 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOT-23 |
Source Gate On-Capacitance | 11pF |
Transistor Configuration | Single |
Width | 1.4mm |
Drain-Gate Voltage (Max) | 25(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 25(V) |
Operating Temperature (Max) | 150C |
Operating Temperature (Min) | -55C |
Operating Temperature Classification | Military |
Rad Hardened | No |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов