R6009JND3TL1, MOSFET R6009JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2499 шт., срок 6-8 недель

510 руб.

от 10 шт. — 400 руб.

от 100 шт. — 302 руб.

от 500 шт. — 255.55 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006220647

Артикул: R6009JND3TL1

Бренд: Rohm

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.45Ом
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	15В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	9А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	6В
Рассеиваемая Мощность	125Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.45Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1