IXFK180N25T, MOSFET 180A 250V
![IXFK180N25T, MOSFET 180A 250V](https://static.chipdip.ru/lib/878/DOC035878568.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 310 руб.
от 10 шт. —
4 450 руб.
от 25 шт. —
3 820 руб.
от 100 шт. —
3 349.06 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 310 руб.
Технические параметры
Case | TO264 |
Drain current | 180A |
Drain-source voltage | 250V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 364nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 12.9mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1390W |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 179 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары