PHE13005,127, Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6393 шт., срок 7-9 недель
180 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
от 500 шт. —
73.73 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 180 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 400В |
Continuous Collector Current | 4А |
DC Current Gain hFE Min | 10hFE |
DC Усиление Тока hFE | 10hFE |
Power Dissipation | 75Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Base Voltage | 700 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 400 V |
Maximum DC Collector Current | 4 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 9 V |
Maximum Operating Frequency | 60 Hz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 75 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220AB |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 481 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.