TSM900N10CP ROG, MOSFET 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM900N10CP ROG, MOSFET 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4713 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
от 10 шт.140 руб.
от 100 шт.96 руб.
от 500 шт.84.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006225934
Артикул: TSM900N10CP ROG

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V, 15A, Single N-Channel Power МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 15 A
Pd - рассеивание мощности 50 W
Qg - заряд затвора 9.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 72 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 9.5 ns
Время спада 5.3 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 18.4 ns
Типичное время задержки при включении 2.9 ns
Торговая марка Taiwan Semiconductor
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252S-3
Чувствительный к влажности Yes
кол-во в упаковке 1
Вес, г 0.1

Техническая документация

Datasheet TSM900N10CP ROG
pdf, 404 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.