TSM900N10CP ROG, MOSFET 100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4713 шт., срок 7-9 недель
150 руб.
от 10 шт. —
140 руб.
от 100 шт. —
96 руб.
от 500 шт. —
84.26 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 100V, 15A, Single N-Channel Power МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 15 A |
Pd - рассеивание мощности | 50 W |
Qg - заряд затвора | 9.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 72 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 9.5 ns |
Время спада | 5.3 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 18.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 2.9 ns |
Торговая марка | Taiwan Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252S-3 |
Чувствительный к влажности | Yes |
кол-во в упаковке | 1 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet TSM900N10CP ROG
pdf, 404 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.