TK11P65W,RQ, MOSFET Power MOSFET N-Channel

TK11P65W,RQ, MOSFET Power MOSFET N-Channel
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
267 шт., срок 7-9 недель
480 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8006229051
Артикул: TK11P65W,RQ
Бренд: Toshiba

Описание

Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 11.1
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 440@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 650
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??30
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 3.5
Maximum Power Dissipation - (mW) 100000
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Process Technology DTMOSIV
Standard Package Name TO-252
Supplier Package DPAK
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 25
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 25@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 890@300V
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 253 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.