IXFA12N50P, MOSFET 500V 12A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 руб.
от 10 шт. —
980 руб.
от 50 шт. —
773 руб.
от 100 шт. —
631.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 250 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор 500V 12A
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 200 W |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 500 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 27 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 7.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXFA12N50P |
| Технология | Si |
| Тип | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 65 ns |
| Типичное время задержки при включении | 22 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вес, г | 79 |
Техническая документация
Datasheet IXFA12N50P
pdf, 152 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
