MMBT5551-TP, Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V

MMBT5551-TP, Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
61 руб.
от 10 шт.43 руб.
от 100 шт.18 руб.
от 1000 шт.11.71 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 61 руб.
Посмотреть аналоги4
Номенклатурный номер: 8006230594
Артикул: MMBT5551-TP

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 160V 600mA 100MHz 300mW Surface Mount SOT-23

Технические параметры

Base Product Number MMBT5551 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 399 КБ
Datasheet MMBT5551-TP
pdf, 404 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов