SIL2301-TP, MOSFET P-Ch -20Vds 8Vgs 0.35W -2.3A -10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
90 руб.
от 100 шт. —
38 руб.
от 1000 шт. —
28.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Технические параметры
Case | SOT23-6 |
Drain current | -2.3A |
Drain-source voltage | -20V |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
Gate charge | 10nC |
Gate-source voltage | ±8V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 0.2Ω |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.25W |
Pulsed drain current | -10A |
Type of transistor | P-MOSFET x2 |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов