SIL2301-TP, MOSFET P-Ch -20Vds 8Vgs 0.35W -2.3A -10A

SIL2301-TP, MOSFET P-Ch -20Vds 8Vgs 0.35W -2.3A -10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.90 руб.
от 100 шт.38 руб.
от 1000 шт.28.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8006233481
Артикул: SIL2301-TP

Технические параметры

Case SOT23-6
Drain current -2.3A
Drain-source voltage -20V
Features of semiconductor devices ESD protected gate
Gate charge 10nC
Gate-source voltage ±8V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
Mounting SMD
On-state resistance 0.2Ω
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.25W
Pulsed drain current -10A
Type of transistor P-MOSFET x2
Вес, г 1

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов