HN1A01F-Y(TE85L,F), Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3502 шт., срок 7-9 недель

140 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 руб.

Номенклатурный номер: 8006234385

Артикул: HN1A01F-Y(TE85L,F)

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	400
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1A01
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-26-6
Вес, г	0.015

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем