RN1904,LF(CT, Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10726 шт., срок 7-9 недель
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN1904 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 47 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet RN1904.LF(CT
pdf, 717 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары