AUIRFR4292TRL, MOSFET Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
от 10 шт. —
510 руб.
от 100 шт. —
382 руб.
от 250 шт. —
329.83 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 650 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор Automotive Logic Le mOhm, 13 nC Qg, DPAK
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 9.3 A |
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Qg - заряд затвора | 13 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 275 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 250 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 8.4 ns |
Высота | 2.3 mm |
Длина | 6.5 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.2 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Типичное время задержки при включении | 11 ns |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 9.3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.345 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 250 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | HEXFET |
Transistor Material | Silicon |
Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 708 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов