BSS123-TP, MOSFET N-Ch Enh FET 100Vds 0.17A 20Vgs 0.35W
69 руб.
от 10 шт. —
48 руб.
от 100 шт. —
19 руб.
от 1000 шт. —
12.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 69 руб.
Описание
N-канал 100 В 170 мА Tj) 350 мВт поверхностный монтаж SOT-23
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 170mA Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 350mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250ВµA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@170mA, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.8V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 60pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1263 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
