BFU550XRR, RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor

BFU550XRR, RF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.79 руб.
от 100 шт.41 руб.
от 1000 шт.29.17 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8006239750
Артикул: BFU550XRR
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Trans RF BJT NPN 30V 0,08A 450 мВт Автомобильный 4-контактный SOT-143R T / R

Технические параметры

Automotive Yes
Configuration Single Dual Emitter
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Material Si
Maximum 3rd Order Intercept Point (dBm) 23(Typ)
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 1(Typ)
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum Collector-Emitter Voltage Range (V) <20
Maximum DC Collector Current (A) 0.08
Maximum DC Collector Current Range (A) 0.06 to 0.12
Maximum Emitter Base Voltage (V) 3
Maximum Noise Figure (dB) 1.25(Min)
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power 1dB Compression (dBm) 13.5(Typ)
Maximum Power Dissipation (mW) 450
Maximum Transition Frequency (MHz) 11000(Typ)
Minimum DC Current Gain 60 15mA 8V
Minimum DC Current Gain Range 50 to 120
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Operational Bias Conditions 8V/25mA
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 4
Pin Count 4
PPAP Unknown
Supplier Package SOT-143R
Supplier Temperature Grade Automotive
Type NPN
Typical Input Capacitance (pF) 0.87
Typical Output Capacitance (pF) 0.41
Typical Power Gain (dB) 26.5(Max)
Вес, г 0.3

Техническая документация

Datasheet BFU550XRR
pdf, 312 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов