HN1A01F-GR(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5739 шт., срок 7-9 недель
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 100 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | HN1A01 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SM-6 |
| Вес, г | 0.015 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
