RN2105MFV,L3F, Digital Transistors Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7534 шт., срок 7-9 недель
47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 47 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 8000 |
Серия | RN2105MFV |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.0468 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | SOT-723-3 |
Вес, г | 0.0015 |
Техническая документация
Datasheet RN2105MFV.L3F
pdf, 808 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары