TK10A60W,S4VX, MOSFET N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

89 шт., срок 7-9 недель

690 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 690 руб.

Номенклатурный номер: 8006251631

Артикул: TK10A60W,S4VX

Бренд: Toshiba

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

Id - непрерывный ток утечки	9.7 A
Pd - рассеивание мощности	30 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	327 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.7 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	22 ns
Время спада	5.5 ns
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DTMOSIV
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK10A60W
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	75 ns
Типичное время задержки при включении	45 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	6