2SAR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3

Фото 1/2 2SAR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3301 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
от 10 шт.110 руб.
от 100 шт.69 руб.
от 500 шт.51.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8006255703
Артикул: 2SAR512P5T100
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP -30V Vceo -2A Ic MPT3

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 500 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 2SAR512P5
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200 at - 100 mA, - 2 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 500 at - 100 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 30 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 30 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 2 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 430 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия 2SxR
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка / блок SOT-89-3
Base Product Number 2SAR512 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 1ВµA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 430MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-243AA
Power - Max 500mW
REACH Status REACH Affected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Simulation Models http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package MPT3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 35mA, 700mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Automotive No
Configuration Single Dual Collector
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Flat
Maximum Collector Base Voltage (V) 30
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) 1000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.4@35mA@700mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 30
Maximum DC Collector Current (A) 2
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 430(Typ)
Minimum DC Current Gain 200@100mA@2V
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 4
PPAP No
Product Category Bipolar Power
Supplier Package MPT
Tab Tab
Type PNP
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1814 КБ
Datasheet 2SAR512P5T100
pdf, 1809 КБ
Datasheet 2SAR512P5T100
pdf, 1803 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.