DMN65D8LDW-7, MOSFET Dual N-Ch 60V 8ohm 5V VGS 170mA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
94 руб.
от 10 шт. —
70 руб.
от 100 шт. —
30 руб.
от 1000 шт. —
20.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 94 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 6.3 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 200 mA |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 870 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Rise Time: | 3.2 ns |
| Series: | DMN63 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.3 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 200 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 8 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 20V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 400 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V |
| Width | 1.35mm |
| Automotive | No |
| Configuration | Dual |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 400 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 6 |
| PPAP | No |
| Product Category | Small Signal |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-363 |
| Typical Fall Time (ns) | 6.3 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 0.87 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.87@10V|0.43@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 22@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 3.2 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 3.3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
