BC 850CW H6327, Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR

Фото 1/3 BC 850CW H6327, Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт.78 руб.
от 100 шт.47 руб.
от 1000 шт.19.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.
Номенклатурный номер: 8006262566
Артикул: BC 850CW H6327

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Описание Биполярный транзистор BC850CWH6327 от производителя INFINEON – это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) с корпусом SOT323. Данный NPN транзистор способен выдерживать ток коллектора до 0,1 А и напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, обладая мощностью 0,33 Вт. Идеально подходит для усиления и коммутации сигналов в различных электронных устройствах и цепях. Код товара BC850CWH6327 обеспечивает легкость идентификации и заказа, а его компактные размеры и SMD-технология монтажа позволяют использовать его в самых миниатюрных печатных платах. Компонент предназначен для использования в электронике, где требуется надежность и долговечность. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 0.1
Напряжение коллектор-эмиттер, В 45
Мощность, Вт 0.33
Корпус SOT323

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 330 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № BC85CWH6327XT SP000747418 BC850CWH6327XTSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 420
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 800
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 200 mA
Минимальная рабочая температура 65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 250 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия BC850
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка / блок SOT-323-3
Вес, г 0.005

Техническая документация

Datasheet
pdf, 885 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов