IXFQ50N60P3, MOSFET 600V 50A 0.145Ohm PolarP3 Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 750 руб.
от 10 шт. —
2 240 руб.
от 30 шт. —
1 900 руб.
от 120 шт. —
1 620.15 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 50А, 1040Вт, TO3P Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO3P |
| Drain current | 50A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate charge | 94nC |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.16Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.04kW |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 148 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![STW45NM50, Транзистор MOSFET N-канал 500В 45А [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307885.jpg)
![UF3C120400K3S, Транзистор SiC FET [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/525/DOC013525237.jpg)
![STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758073.jpg)
