IMB10AT110
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5988 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
52 руб.
от 500 шт. —
45.01 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 260 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 50 В 100 мА 250 МГц 300 мВт SMT6 для поверхностного монтажа
Технические параметры
Base Product Number | IMB10 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Power - Max | 300mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | SMT6 |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | IMB10A |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 80 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | IMB10A |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.048 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Ширина | 1.6 mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1661 КБ
Datasheet IMB10AT110
pdf, 1687 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.