SIHP35N60EF-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 200 руб.
от 2 шт. —
2 040 руб.
от 5 шт. —
1 930 руб.
от 10 шт. —
1 853.75 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 200 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 32A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 250W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V |
Series | EF |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Qg - заряд затвора | 134 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 97 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 85 ns |
Время спада | 61 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1 |
Серия | EF |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel EF-Series Power MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 96 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Base Product Number | SIHP35 -> |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Package | Cut Tape (CT) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Вес, г | 2.85 |
Техническая документация
Datasheet SIHP35N60EF-GE3
pdf, 262 КБ
Datasheet SIHP35N60EF-GE3
pdf, 126 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов