NHDTA114YTR, Digital Transistors NHDTA114YT/SOT23/TO-236AB

Фото 1/2 NHDTA114YTR, Digital Transistors NHDTA114YT/SOT23/TO-236AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1792 шт., срок 6-8 недель
60 руб.
от 10 шт.44 руб.
от 100 шт.26 руб.
от 1000 шт.11.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 60 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006343197
Артикул: NHDTA114YTR
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS 80V 100MA PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 250 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Другие названия товара № 934661361215
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальная рабочая частота 150 MHz
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 4.7
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Base Product Number NHDTA114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 250mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Series Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 297 КБ

Дополнительная информация

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.