2SCR512P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
963 шт., срок 7-9 недель
130 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
75 руб.
от 500 шт. —
55.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SCR512P5 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 100 mA, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at 100 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 320 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | 2SxR |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SC-62-3 |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Transistor Type | NPN |
| Collector Emitter Voltage Max | 30В |
| Continuous Collector Current | 2А |
| DC Current Gain hFE Min | 200hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 320МГц |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SCR512P5T100
pdf, 1820 КБ
Datasheet 2SCR512P5T100
pdf, 1814 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
