KSB772YS, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
92 руб.
от 100 шт. —
68 руб.
от 500 шт. —
55.10 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 11 mm |
| Длина | 8 mm |
| Другие названия товара № | KSB772YS_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | KSB772 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-126-3 |
| Ширина | 3.25 mm |
| Вес, г | 0.761 |
Техническая документация
Datasheet KSB772YS
pdf, 227 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
