KSC945YTA, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
от 10 шт. —
77 руб.
от 100 шт. —
30 руб.
от 1000 шт. —
19.72 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 150 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 250 mW |
Minimum DC Current Gain | 120 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.24 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов