FF900R12IP4, IGBT Modules IGBT-MODULE

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

115 000 руб.

от 12 шт. — 103 100 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 115 000 руб.

Номенклатурный номер: 8006393002

Артикул: FF900R12IP4

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE

Pd - рассеивание мощности	5.1 kW
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	38 mm
Длина	172 mm
Другие названия товара №	SP000609750 FF900R12IP4BOSA2
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP PrimePACK
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	900 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	3
Серия	Trenchstop IGBT4 - P4
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	PRIME2
Ширина	89 mm
Вес, г	825