FF600R12IP4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 600A

FF600R12IP4, IGBT Modules N-CH 1.2KV 600A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
91 230 руб.
от 12 шт.81 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 91 230 руб.
Номенклатурный номер: 8006420767
Артикул: FF600R12IP4

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3.35 kW
Вид монтажа Chassis Mount
Высота 38 mm
Длина 172 mm
Другие названия товара № SP000609754 FF600R12IP4BOSA1
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP PrimePACK
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 600 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки 3
Серия Trenchstop IGBT4 - P4
Технология Si
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок PRIME2
Ширина 89 mm
Brand Infineon Technologies
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Dual
Continuous Collector Current at 25 C 600 A
Factory Pack Quantity 3
Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Height 38 mm
Length 172 mm
Manufacturer Infineon
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20 V
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Screw
Package / Case PRIME2
Pd - Power Dissipation 3.35 kW
Product IGBT Silicon Modules
Product Category IGBT Modules
RoHS Details
Width 89 mm
Вес, кг 1.03

Техническая документация

Datasheet FF600R12IP4
pdf, 483 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «IGBT модули»