PDTD123ET,215, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3085 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 48 шт.
от 245 шт. —
8 руб.
от 490 шт. —
6.30 руб.
от 979 шт. —
5.50 руб.
Добавить в корзину 48 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм
Технические параметры
Корпус | SOT-23(TO-236AB) |
Brand | Nexperia |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 500 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 40 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | Nexperia |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -65 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Part # Aliases | PDTD123ET T/R |
Pd - Power Dissipation | 250 mW |
Peak DC Collector Current | 500 mA |
Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
Qualification | AEC-Q101 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Typical Input Resistor | 2.2 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTD123ET,215
pdf, 233 КБ
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.