NHUMB10X, Bipolar Transistors - BJT NHUMB10/SOT363/SC-88
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6526 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
от 10 шт. —
78 руб.
от 100 шт. —
47 руб.
от 1000 шт. —
19.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 120 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 PNP - с предварительным смещением (двойной) 80 В 100 мА 150 МГц 350 мВт Поверхностный монтаж 6-TSSOP
Технические параметры
| Base Product Number | NHUMB10 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 350mW |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | 6-TSSOP |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
