RD3G03BATTL1, MOSFET Pch -40V -35A Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7718 шт., срок 6-8 недель
420 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
235 руб.
от 500 шт. —
189.35 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
The ROHM power MOSFET has TO-252 package type. It is mainly used for switching. Low on - resistance Fast switching speed
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.191 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RD3G03BATTL1
pdf, 2627 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK1117, Транзистор N-MOSFET 600В 6А 100Вт [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![2SK2698, Транзистор, N-канал, драйверы реле и электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/234/DOC000234986.jpg)
![2SK2850, Транзистор, N-канал [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
![2SK2847, Транзистор, N-канал, DC/DC конверторы, драйверы электродвигателей [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/219/DOC000219587.jpg)
![2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304568.jpg)
