Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ST Microelectronics › 2STN2540

2STN2540

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

22 шт. со склада г.Москва, срок 9-10 дней

210 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 150 руб.

от 10 шт. — 123 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 420 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001992224

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Электроэлемент

TRANSISTOR, PNP SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:-5A; DC Current Gain hFE:250hFE; Transistor Case Style

Технические параметры

Brand	STMicroelectronics
Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Configuration	Single
DC Collector/Base Gain hfe Min	50
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Height	1.8 mm
Length	6.3 mm
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum DC Collector Current	5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-223
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	1.6 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	500V Transistors
Transistor Polarity	PNP
Unit Weight	0.006632 oz
Width	3.3 mm
Pd - рассеивание мощности	1.6 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.8 mm
Длина	6.3 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	5 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	2STN2540
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.3 mm
Вес, г	0.85