BCR198E6327HTSA1

BCR198E6327HTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.79 руб.
от 100 шт.35 руб.
от 500 шт.28.30 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 8006587112

Описание

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 190 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3

Технические параметры

Base Product Number BCR198 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 190MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Automotive Qualification Standard AEC-Q101
Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) 300 mV
Collector-Base Voltage (Vcbo) 50 V
Collector-Emitter Voltage (Vceo) 50 V
Configuration Single
Continuous Collector Current (Ic) 100 mA
DC Current Gain (hFE) 70
Emitter-Base Voltage (Vebo) 10 V
MSL Level-1
Operating Frequency 190 MHz
Operating Temperature Max. 150 °C
Package Type SOT-23
Packaging Tape & Reel
Pins 3
Power Dissipation (Pd) 200 mW
Transistor Polarity PNP
Typical Input Resistor 62 kOhm
Typical Resistor Ratio 1.1
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 867 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов