UNR5119G0L
2897 шт., срок 7-9 недель
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 240 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 100 мА 80 МГц 150 мВт поверхностный монтаж SMini3-F2
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-85 |
| Power - Max | 150mW |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Supplier Device Package | SMini3-F2 |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Техническая документация
Datasheet UNR5119G0L
pdf, 630 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
