2SC4213BTE85LF

Фото 1/2 2SC4213BTE85LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 шт., срок 7-9 недель
35 руб.
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт. на сумму 350 руб.
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8022758466
Бренд: Toshiba

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 20V 300mA 30MHz 100mW Surface Mount USM

Технические параметры

Base Product Number TB62757 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 4mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 30MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 100mW
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package USM
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V

Техническая документация

Datasheet 2SC4213BTE85LF
pdf, 532 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.