DDTC122LE-7
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
86 руб.
от 100 шт. —
48 руб.
от 500 шт. —
40.92 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 200 МГц 150 мВт поверхностный монтаж SOT-523
Технические параметры
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 10mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Cut Tape (CT) |
| Package / Case | SOT-523 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 220 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250ВµA, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Дополнительная информация
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
