IRF610SPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 3.3 А, 1.5 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
390 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 3 010 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор N-Chan 200V 3.3 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Qg - заряд затвора | 8.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 17 ns |
| Время спада | 8.9 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.2 ns |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Base Product Number | IRF610 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Package Type | TO-263 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
