G2R1000MT17D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10243 шт., срок 6-8 недель
1 680 руб.
от 10 шт. —
1 330 руб.
от 25 шт. —
1 230 руб.
от 100 шт. —
1 075.77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 680 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8006698939
Бренд: GENESIC SEMICONDUCTOR
Описание
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - Single
N-канал 1700V 4A (Tc) 53W (Tc) сквозное отверстие TO-247-3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 1000V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 139pF @ 1000V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | G2Rв„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Техническая документация
Datasheet G2R1000MT17D
pdf, 1098 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
